Thông tư 22/2022/TT-BTTTT Quy chuẩn về tương thích điện từ với thiết bị thông tin vô tuyến điện

Ban hành “Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về tương thích điện từ đối với thiết bị thông tin vô tuyến điện”

Căn cứ Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật ngày 29 tháng 6 năm 2006;

Căn cứ Luật Viễn thông ngày 23 tháng 11 năm 2009;

Căn cứ Luật Tần số vô tuyến điện ngày 23 tháng 11 năm 2009;

Căn cứ Nghị định số 127/2007/NĐ-CP ngày 01 tháng 8 năm 2007 của Chính phủ quy định chi tiết và hướng dẫn thi hành một số điều của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật;

Căn cứ Nghị định số 78/2018/NĐ-CP ngày 16 tháng 5 năm 2018 của Chính phủ sửa đổi, bổ sung một số điều của Nghị định số 127/2007/NĐ-CP ngày 01 tháng 8 năm 2007 của Chính phủ quy định chi tiết thi hành một số điều Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật;

Căn cứ Nghị định số 48/2022/NĐ-CP ngày 26 tháng 7 năm 2022 của Chính phủ quy định chức năng, nhiệm vụ, quyền hạn và cơ cấu tổ chức của Bộ Thông tin và Truyền thông;

Theo đề nghị của Vụ trưởng Vụ Khoa học và Công nghệ,

Bộ trưởng Bộ Thông tin và Truyền thông ban hành Thông tư quy định Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về tương thích điện từ đối với thiết bị thông tin vô tuyến điện.

QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỐI VỚI THIẾT BỊ THÔNG TIN
VÔ TUYẾN ĐIỆN

National technical regulation on Electromagnetic Compatibility for Radio Equipment

Mục lục

1.1. Phạm vi điều chỉnh

1.2. Đối tượng áp dụng

1.3. Tài liệu viện dẫn

1.4. Giải thích từ ngữ

1.5. Ký hiệu

1.6. Chữ viết tắt

2.1. Phát xạ EMC

2.1.1. Khả năng áp dụng các phép đo phát xạ

2.1.2. Cấu hình đo

2.1.3. Phát xạ từ cổng vỏ

2.1.4. Phát xạ từ các cổng vào/ra nguồn điện DC

2.1.5. Phát xạ từ cổng vào/ra nguồn điện AC

2.1.6. Phát xạ dòng hài (cổng vào nguồn điện lưới AC)

2.1.7. Nhấp nháy và biến động điện áp (cổng đầu vào nguồn điện lưới AC)

2.1.8. Phát xạ từ cổng mạng hữu tuyến

2.2. Miễn nhiễm

2.2.1. Khả năng áp dụng các phép thử miễn nhiễm

2.2.2. Cấu hình thử

2.2.3. Miễn nhiễm trong trường điện từ tần số vô tuyến (80 MHz đến 6 000 MHz)

2.2.4. Miễn nhiễm đối với phóng tĩnh điện

2.2.5. Miễn nhiễm đối với đột biến nhanh, chế độ chung

2.2.6. Miễn nhiễm đối với tần số vô tuyến, chế độ chung

2.2.7. Miễn nhiễm đối với đột biến, quá áp trong môi trường phương tiện vận tải

2.2.8. Miễn nhiễm đối với sụt áp và gián đoạn điện áp

2.2.9. Miễn nhiễm đối với quá áp

Bộ tạo tín hiệu thử phải cung cấp được các xung 1,2/50 µs như quy định tại 6.2 của IEC 61000-4-5:2014/AMD1:2017.

2.2.9.3. Tiêu chí chất lượng

Áp dụng tiêu chí chất lượng đối với hiện tượng đột biến (xem C.3, Phụ lục C).

3.1. Các thiết bị vô tuyến và phụ trợ liên quan thuộc phạm vi điều chỉnh quy định tại 1.1 phải tuân thủ các quy định kỹ thuật trong Quy chuẩn này.

3.2. Trong trường hợp thiết bị vô tuyến có quy chuẩn kỹ thuật riêng thì bất kỳ chỉ tiêu kỹ thuật nào liên quan đến cổng ăng ten và cổng vỏ thiết bị trong quy chuẩn kỹ thuật đó được ưu tiên áp dụng so với các chỉ tiêu kỹ thuật tương ứng trong Quy chuẩn này. Các chỉ tiêu kỹ thuật còn lại của Quy chuẩn này vẫn phải được áp dụng để đánh giá tính tuân thủ EMC của thiết bị.

Các tổ chức, cá nhân liên quan có trách nhiệm thực hiện công bố hợp quy và chịu sự kiểm tra của cơ quan quản lý nhà nước theo các quy định hiện hành.

5.1. Cục Viễn thông, Cục Tần số vô tuyến điện và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm hướng dẫn, triển khai quản lý về tương thích điện từ đối với các thiết bị vô tuyến theo Quy chuẩn này.

5.2. Quy chuẩn này được áp dụng thay thế cho QCVN 18:2014/BTTTT Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về tương thích điện từ đối với thiết bị vô tuyến.

5.3. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế thì thực hiện theo quy định tại văn bản mới.

5.4. Trong quá trình triển khai thực hiện quy chuẩn này, nếu có vấn đề phát sinh, vướng mắc, các tổ chức và cá nhân có liên quan phản ánh bằng văn bản về Bộ Thông tin và Truyền thông (Vụ Khoa học và Công nghệ) để được hướng dẫn, giải quyết/.

Bộ tiêu chuẩn EN 301 489 gồm:

Phần 1: Các yêu cầu kỹ thuật chung;

Phần 2: Các điều kiện riêng đối với thiết bị nhắn tin vô tuyến;

Phần 3: Các điều kiện riêng đối với thiết bị tầm ngắn hoạt động trên dải tần giữa 9 Khz và 40 GHz;

Phần 4: Các điều kiện riêng đối với các đường kết nối vô tuyến cố định; trạm, thiết bị phụ trợ và các dịch vụ truyền dẫn dữ liệu quảng bá;

Phần 5: Các điều kiện riêng đối với thiết bị di động mặt đất dùng riêng (PRM) và thiết bị phụ trợ (thoại và phi thoại);

Phần 6: Các điều kiện riêng đối với thiết bị thông tin không dây số cải tiến (DECT)

Phần 9: Các điều kiện riêng đối với thiết bị microphone không dây, thiết bị kết nối âm thanh tương tự như tần số vô tuyến, thiết bị âm thanh và tai nghe giám sát không dây;

Phần 11: Các điều kiện riêng đối với máy phát thanh quảng bá mặt đất;

Phần 12: Các điều kiện riêng đối với VSAT, các trạm vệ tinh mặt đất hoạt động trên dải tần số từ 4 GHz đến 30 GHz trong dịch vụ vệ tinh cố định (FSS);

Phần 13: Các điều kiện riêng đối với thiết bị vô tuyến và phụ trợ dải tần nghiệp dư (CB) (thoại và phi thoại);

Phần 14: Các điều kiện riêng đối với máy phát truyền hình mặt đất số và tương tự.

Phần 15: Các điều kiện riêng đối với thiết bị vô tuyến nghiệp dư thương mại sẵn có;

Phần 17: Các điều kiện riêng đối với hệ thống truyền dẫn dữ liệu băng rộng;

Phần 19: Các điều kiện riêng đối với trạm di động mặt đất chỉ thu hoạt động trên dải tần 1,5 GHz để cung cấp thông tin dữ liệu (ROMES);

Phần 20: Các điều kiện riêng đối với trạm di động mặt đất (MES) dùng trong các dịch vụ di động vệ tinh (MSS);

Phần 22: Các điều kiện riêng đối với thiết bị vô tuyến hàng không cố định và di động dải tầnVHF;

Phần 27: Các điều kiện riêng đối với thiết bị y tế cấy ghép điện năng siêu thấp (ULP- AMI) và các thiết bị ngoại vi liên quan (ULP-AMI-P);

Phần 28: Các điều kiện riêng đối với đường kết nối video số không dây;

Phần 29: Các điều kiện riêng đối với thiết bị y tế số (MEDS) hoạt động trên dải tần 401 MHz đến 402 MHz và 405 MHz đến 406 MHz;

Phần 31: Các điều kiện riêng đối với thiết bị y tế cấy ghép điện năng siêu thấp (ULP- AMI) và các thiết bị ngoại vi liên quan (ULP-AMI-P) hoạt động trên dải tần 9 kHz to 315 kHz;

Phần 33: Các điều kiện riêng đối với thiết bị thông tin băng siêu rộng (UWB);

Phần 34: Các điều kiện riêng đối với bộ cung cấp nguồn ngoài (EPS) dùng cho điện thoại di động.

Phần 35: "Yêu cầu cụ thể đối với thiết bị cấy ghép y tế chủ động công suất thấp (LP- AMI) hoạt động trong các băng tần từ 483,5 MHz đến 2 500 MHz";

Phần 50: "Các điều kiện cụ thể cho trạm gốc (BS), trạm lặp và thiết bị phụ trợ trong truyền thông di động”;

Phần 51: "Các điều kiện cụ thể cho phương tiện ô tô và thiết bị radar giám sát sử dụng 24,05 GHz đến 24,25 GHz, 24,05 GHz đến 24,5 GHz, 76 GHz đến 77 GHz và 77 GHz đến 81 GHz";

Phần 52: "Các điều kiện cụ thể cho thiết bị di động và xách tay (UE) và thiết bị phụ trợ trong truyền thông di động".