Thông tư 14/2019/TT-BTTTT Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia với thiết bị dẫn đường hàng hải
BỘ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG -------------- Số: 14/2019/TT-BTTTT |
CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc ----------- Hà Nội, ngày 22 tháng 11 năm 2019 |
THÔNG TƯ
Ban
hành “Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về tương thích điện
từ
đối
với thiết bị thông tin vô tuyến và dẫn đường hàng
hải”
---------------
Căn cứ Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật ngày 29 tháng 6 năm 2006;
Căn cứ Luật Viễn thông ngày 23 tháng 11 năm 2009;
Căn cứ Luật Tần số vô tuyến điện ngày 23 tháng 11 năm 2009;
Căn cứ Nghị định số 127/2007/NĐ-CP ngày 01 tháng 8 năm 2007 của Chính phủ quy đinh chi tiết và hướng dẫn thi hành một số điều của Luật Tiêu chuẩn và Quy chuẩn kỹ thuật;
Căn cứ Nghị định số 78/2018/NĐ-CP ngày 16 tháng 5 năm 2018 của Chính phủ sửa đổi, bổ sung một số điều của Nghị định số 127/2007/NĐ-CP ngày 01 tháng 8 năm 2007 của Chính phủ quy định chi tiết thi hành một số điều Luật tiêu chuẩn và quy chuẩn kỹ thuật;
Căn cứ Nghị định số 17/2017/NĐ-CP ngày 17 tháng 02 năm 2017 của Chính phủ quy định chức năng, nhiệm vụ, quyền hạn và cơ cấu tổ chức của Bộ Thông tin và Truyền thông;
Theo đề nghị của Vụ trưởng Vụ Khoa học và Công nghệ,
Bộ trưởng Bộ Thông tin và Truyền thông ban hành Thông tư quy định Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về tương thích điện từ đối với thiết bị thông tin vô tuyến và dẫn đường hàng hải.
Điều 1. Ban hành kèm theo Thông tư này Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về tương thích điện từ đối với thiết bị thông tin vô tuyến và dẫn đường hàng hải (QCVN 119:2019/BTTTT).
Điều 2. Thông tư này có hiệu lực thi hành kể từ ngày 01 tháng 07 năm 2020.
Điều 3. Chánh Văn phòng, Vụ trưởng Vụ Khoa học và Công nghệ, Thủ trưởng các cơ quan, đơn vị thuộc Bộ Thông tin và Truyền thông, Giám đốc Sở Thông tin và Truyền thông các tỉnh, thành phố trực thuộc Trung ương
và các tổ chức, cá nhân có liên quan chịu trách nhiệm thi hành Thông tư này./.
Nơi nhận: - Các Bộ, cơ quan ngang Bộ, cơ quan thuộc Chính phủ; - UBND và Sở TTTT các tỉnh, thành phố trực thuộc TW; - Cục Kiểm tra văn bản QPPL (Bộ Tư pháp); - Công báo, Cổng TTĐT Chính phủ; - Bộ TTTT: Bộ trưởng và các Thứ trưởng, Các cơ quan, đơn vị thuộc Bộ, Cổng thông tin điện tử Bộ; - Lưu: VT, KHCN (250). |
BỘ TRƯỞNG
Nguyễn Mạnh Hùng |
CỘNG
HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
QUY
CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA
VỀ TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ
ĐỐI VỚI THIẾT
BỊ THÔNG TIN
VÔ TUYẾN VÀ DẪN ĐƯỜNG HÀNG HẢI
National
technical
regulation
on Electromagnetic compatibility for maritime
navigation
and radiocommunication equipment
HÀ NỘI - 2019
1. QUY ĐỊNH CHUNG ...................................................................................................5
1.1. Phạm vi điều chỉnh ................................................................................................5
1.2. Đối tượng áp dụng .................................................................................................5
1.3. Tài liệu viện dẫn .....................................................................................................5
1.4. Giải thích từ ngữ ....................................................................................................5
1.5. Chữ viết tắt ............................................................................................................6
2. QUY ĐỊNH KỸ THUẬT ..............................................................................................7
2.1. Quy định chung ......................................................................................................7
2.1.1. Yêu cầu về môi trường thử nghiệm ....................................................................7
2.1.2. Yêu cầu về nơi thử nghiệm ................................................................................7
2.1.3. Yêu cầu về kết qua thử nghiệm ...........................................................................7
2.2. Yêu cầu về phát xạ điện từ......................................................................................7
2.2.1. Yêu cầu chung .....................................................................................................7
2.2.2. Yêu cầu về phát xạ dẫn........................................................................................8
2.2.2.1. Mục đích............................................................................................................8
2.2.2.2. Phương pháp đo ...............................................................................................8
2.2.2.3. Giới hạn.............................................................................................................9
2.2.3. Yêu cầu về phát xạ bức xạ qua cổng vỏ...............................................................10
2.2.3.1. Mục đích.............................................................................................................10
2.2.3.2. Phương pháp đo ................................................................................................10
2.2.3.3. Giới hạn ..............................................................................................................11
2.3. Yêu cầu về miễn nhiệm điện từ ................................................................................12
2.3.1. Yêu cầu chung........................................................................................................12
2.3.2. Thiết bị thu sóng vô tuyến.......................................................................................13
2.3.2.1. Băng tần số loại trừ..............................................................................................13
2.3.2.2. Đánh giá đáp ứng thiết bị thu...............................................................................13
2.3.3. Miễn nhiễm đối với nhiễu dẫn tần số vô tuyến........................................................13
2.3.3.1. Mục đích...............................................................................................................13
2.3.3.2. Phương pháp đo ..................................................................................................14
2.3.3.3. Tiêu chí chất lượng...............................................................................................15
2.3.4. Miễn nhiễm đối với nhiễu bức xạ tần số vô tuyến ...................................................15
2.3.4.1. Mục đích................................................................................................................15
2.3.4.2. Phương pháp đo ...................................................................................................15
2.3.4.3. Tiêu chí chất lượng ...............................................................................................16
2.3.5. Miễn nhiễm đối với xung đột biến nhanh trên đường điện AC, đường tín hiệu và đường điều khiển ........................................................................................................................................17
2.3.5.1. Mục đích ................................................................................................................17
2.3.5.2. Phương pháp đo ....................................................................................................17
2.3.5.3. Tiêu chí chất lượng.................................................................................................17
2.3.6. Miễn nhiệm đối với xung sét trên đường điện AC ....................................................17
2.3.6.1. Mục đích ................................................................................................................17
2.3.6.2. Phương pháp đo ...................................................................................................17
2.3.6.3. Tiêu chí chất lượng................................................................................................17
2.3.7. Miễn nhiễm đối với biến đổi nguồn ngắn hạn ..........................................................18
2.3.7.1. Miễn trừ..................................................................................................................18
2.3.7.2. Mục đích ................................................................................................................18
2.3.7.3. Phương pháp đo ....................................................................................................19
2.3.7.4. Tiêu chí chất lượng.................................................................................................19
2.3.8. Miễn nhiễm đối với lỗi nguồn ....................................................................................19
2.3.8.1. Miễn trừ...................................................................................................................19
2.3.8.2. Mục đích .................................................................................................................20
2.3.8.3. Phương pháp đo .....................................................................................................20
2.3.8.4. Tiêu chí chất lượng..................................................................................................20
2.3.9. Miễn nhiễm đối với phóng tĩnh điện............................................................................20
2.3.9.1. Mục đích .................................................................................................................20
2.3.9.2. Phương pháp đo .....................................................................................................20
2.3.9.3. Tiêu chí chất lượng..................................................................................................22
3. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ..................................................................................................22
4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN....................................................................22
5. TỔ CHỨC THỰC HIỆN....................................................................................................22
Bộ phát thứ phải được thiết lập cho mỗi CDN với AE và EUT được ngắt ra và thay thế bằng các trở kháng 150 Ω. Bộ phát thử phải cung cấp e.m.f không điều chế tại cổng EUT với mức thử yêu cầu.
Phép thử được tiến hành như trong TCVN 7909-4-6:2015 với các mức thử sau:
- Biên độ 3 V r.m.s quét trong dải tần số từ 150 kHz đến 80 MHz (mức khắc nghiệt 2);
- Biên độ 10 V r.m.s tại các tần số: 2 MHz, 3 MHz, 4 MHz, 6,2 MHz, 8,2MHz, 12 6 MHz, 16,5 MHz, 18,8 MHz, 22 MHz và 25 MHz;
Trong khi thử, điều chế biên độ tại 400 Hz ± 10 % với độ sâu 80 % ± 10% sẽ được sử dụng.
Tốc độ quét tần số không được vượt quá 1,5 x 10-3 decade/s để cho phép phát hiện lỗi của EUT.
Các tín hiệu trên được đặt lên đường điện, đường tín hiệu và đường điều khiển của EUT. Phép kiểm tra chất lượng EMC được thực hiện trong và sau mỗi phép thử.
Các yêu cầu kiểm tra chất lượng EMC phải được thoả mãn trong và sau phép thử tương ứng với tiêu chí chất lượng A như mô tả trong 2.3.1.
Phép thử này mô phỏng ảnh hưởng của các thiết bị phát sóng vô tuyến tần số trên 80 MHz, như các thiết bị phát VHF đặt trên tàu hay các thiết bị vô tuyến cầm tay, hoạt động gần thiết bị.
EUT phải được đặt trong một phòng che thích hợp hay buồng đo không phản xạ và có kích thước tương xứng với EUT (xem Hình 7).
EUT cần được đặt ở khu vực trường đồng nhất và cách điện với đất bằng giá đỡ phi kim loại. Khu vực đồng nhất được hiệu chuẩn khi phòng đo trống, cấu hình của EUT và các cáp đi cùng sẽ được ghi trong biên bản thử nghiệm.
Nếu đường dây từ và đến EUT không được chỉ rõ, các dây dẫn song song không che chắn sẽ được sử dụng và để trần trong trường điện từ cách EUT 1 m.
Phép thử được tiến hành như mô tả trong TCVN 7909-4-3:2015 với mức nghiêm ngặt 3, với ăng ten phát đặt đối diện với một trong bốn mặt của EUT. Khi thiết bị có thể được sử dụng theo các hướng khác nhau (thẳng đứng và nằm ngang), phép thử được tiến hành ở tất cả các mặt.
EUT ban đầu được đặt sao cho một mặt trùng với mặt phẳng hiệu chuẩn. Dải tần được quét với tốc độ theo thứ tự là 1,5 x 10-3 decade/s với dải tần từ 80 MHz đến 1 GHz và 0,5 x 10-3 decade/s với dải tần từ 1 GHz đến 2 GHz, và phải đủ chậm để cho phép phát hiện bất kỳ lỗi chức năng nào của EUT. Bất kỳ tần số nhạy cảm hay tần số quan tâm vượt trội nào cũng cần được phân tích riêng.
EUT được đặt trong điện trường điều chế với cường độ 10 V/m quét trong dải tần từ 80 MHz đến 2 GHz. Điều chế tại 400 Hz ± 10 %, độ sâu 80 % ±10 %.
Các yêu cầu kiểm tra chất lượng EMC phải được thoả mãn trong và sau phép thử tương ứng với Tiêu chí chất lượng A như mô tả tại 2.3.1.
Hình 7 - Ví dụ điều kiện thử nghiệm miễn nhiễm đối với bức xạ vô tuyến
Hình 8 - Thiết lập thử nghiệm chung cho miễn nhiễm đối với đột biến nhanh
2.3.5. Miễn nhiễm đối với xung đột biến nhanh trên đường điện AC, đường tín hiệu và đường điều khiển
Phép thử này mô phỏng đột biến năng lượng thấp, nhanh gây ra do chuyển mạch thiết bị tạo nên tại chỗ tiếp xúc.
Phép thử được tiến hành như mô tả trong IEC 61000-4-4, tại mức nghiêm ngặt 3, sử dụng thiết bị phát thử tuân thủ theo mục 6.1.1 của IEC 61000-4-4, mạng ghép/tách cho các đường điện tuân thủ theo mục 6.2 của IEC 61000-4-4, giá kẹp ghép điện dung cho đường tín hiệu và đường điều khiển tuân thủ theo 6.3 của IEC 61000-4-4 (xem Hình 8).
Xung với các đặc tính sau được sử dụng cho đường điện, đường tín hiệu và đường điều khiển:
- Thời gian quá độ: 5 ns (Giá trị nằm giữa 10 % và 90 %)
- Độ rộng: 50 ns (50 % giá trị)
- Biên độ: 2 kV chế độ chênh lệch trên các đường điện AC1 kV chế độ chung trên đường tín hiệu và đường điều khiển
- Tốc độ lặp: 5 kHz (1 kV), 2,5 kHz (2 kV)
- Ứng dụng: burst 15 ms trong 300 ms
- Chu trình: 3 phút đến 5 phút cho mỗi xung cực tính dương và âm.
Các yêu cầu kiểm tra chất lượng EMC phải được thoả mãn trong và sau phép thử tương ứng với Tiêu chí chất lượng B như mô tả trong 2.3.1.
2.3.6. Miễn nhiễm đối với xung sét trên đường điện AC
Phép thử mô phỏng xung sét năng lượng cao, chậm gây ra do chuyển mạch thyristor lên nguồn điện AC
Phép thử được tiến hành như mô tả trong TCVN 8241-4-5:2009, tại mức nghiêm ngặt 2, sử dụng thiết bị phát sóng kết hợp (lai), tuân thủ theo 6.1 của TCVN 8241-4-5:2009, kết hợp với mạng ghép/tách, tuân thủ theo 6.3.1.1 của TCVN 8241-4-5:2009 (xem Hình 9a và 9b).
Xung với các đặc tính sau được sử dụng cho các đường điện:
- Thời gian quá độ: 1,2 µs (Giá trị nằm giữa 10 % và 90 %)
- Độ rộng: 50 µs (50 % giá trị)
- Biên độ: 1 kV dây/đất, 0,5 kV dây/dây
- Tốc độ lặp: 1 xung/phút
- Ứng dụng: liên tục
- Chu trình: 5 phút cho mỗi xung cực tính dương và âm.
Các yêu cầu kiểm tra chất lượng EMC phải được thoả mãn trong và sau phép thử tương ứng với Tiêu chí chất lượng B như được mô tả tại 2.3.1.
Hình 9a - Thiết lập phép thử miễn nhiễm đối với xung sét trên đường AC Ví dụ thiết lập phép thử ghép điện dung trên đường AC/DC; ghép đường tới đường, đầu ra thiết bị phát thả nổi
Hình
9b - Thiết lập phép thử miễn nhiễm đối với xung sét
trên đường AC
-
Ví dụ thiết lập phép thử ghép điện dung trên đường
AC/DC; ghép đường tới đất, đầu ra thiết bị phát
nối đất
2.3.7. Miễn nhiễm đối với biến đổi nguồn ngắn hạn
2.3.7.1. Miễn trừ
Phép thử này không dùng cho thiết bị điện áp DC
2.3.7.2. Mục đích
Phép thử này mô phỏng biến đổi nguồn do tải thay đổi mạnh. Phần này bổ sung cho phép thử biến đổi nguồn liên tục trong điều kiện đo kiểm tới hạn như chỉ ra trong Bảng 1.
Biến đổi điện áp nguồn được tạo ra bằng nguồn điện có thể lập trình được.
EUT phải chịu biến đổi điện áp nguồn tương ứng với giá trị danh định từng phút trong 10 phút (Hình 10) như sau:
a) Điện áp: danh định + (20 ± 1) %, chu trình 1,5 s ± 0,2 s,
Tần số: danh định + (10 ± 0,5) %, chu trình 5 s ± 0,5 s, áp đặt;
b) Điện áp: danh định - (20 ± 1) %, chu trình 1,5 s ± 0,2 s,
Tần số: danh định - (10 ± 0,5) %, chu trình 5 s ± 0,5 s, áp đặt.
Thời gian tăng và giảm biến đổi tần số và điện áp là 0,2 s ± 0,1s (từ 10 % đến 90 %).
Các thông tin khác được mô tả trong TCVN 8241-4-11:2009
Hình 10a - Phép thử 1: điện áp (V) + 20 % và tần số (f) + 10 %
Hình 10b - Phép thử 2: điện áp (V) - 20 % và tần số (f) -10 %
Hình 10 - Biến đổi
nguồn trong phép thử miễn nhiễm đối với
biến
đổi điện áp nguồn ngắn hạn
Các yêu cầu kiểm tra chất lượng EMC phải được thoả mãn trong và sau phép thử tương ứng với Tiêu chí chất lượng B như được mô tả tại 2.3.1.
2.3.8. Miễn nhiễm đối với lỗi nguồn
Phép thử này không áp dụng với EUT hoạt động bằng nguồn ắc quy hoặc kết nối tới ắc quy dự phòng.
Phép thử này mô phỏng ngắt nguồn trong khoảng thời gian ngắn do thay đổi nguồn điện và ngắt điện áp. Nó bao gồm cả trường hợp ngắt cho phép bởi Công ước IMO SOLAS trong việc chuyển đổi từ nguồn điện chính sang nguồn khẩn cấp.
EUT phải chịu ba lần ngắt nguồn với mỗi lần ngắt khoảng 60 s. Các thông tin khác được cho trong TCVN 8241-4-11:2009.
Các yêu cầu kiểm tra chất lượng EMC phải được thoả mãn trong và sau phép thử tương ứng với Tiêu chí chất lượng C như được mô tả trong 2.3.1. Không xảy ra hỏng hóc phần mềm hay mất các dữ liệu quan trọng.
2.3.9. Miễn nhiễm đối với phóng tĩnh điện
Phép thử này mô phỏng ảnh hưởng của phóng tĩnh điện từ người xảy ra trong môi trường mà người đó tích điện, như tiếp xúc với thảm sợi nhân tạo hay các áo quần bằng Vinyl.
Hình 11 - Ví dụ thiết lập phép thử miễn nhiễm phóng tĩnh điện (ESD) cho thiết bị đặt trên sàn chỉ rõ các vị trí cơ bản của thiết bị phát ESD
Phép thử được thực hiện như mô tả trong TCVN 7909-4-2:2015, sử dụng thiết bị phóng tĩnh điện (ESD), là một tụ điện dự trữ năng lượng có điện dung 150 pF và trở kháng phóng 330 Ω nối với một đầu phóng.
EUT phải được đặt trên một mặt phẳng đất bằng kim loại và cách điện với mặt phẳng này. Mặt phẳng này phải nhô ra tối thiểu 0,5 m bên ngoài EUT ở mỗi mặt (Hình 11 và Hình 12). Thiết bị phóng tĩnh điện sẽ phóng điện vào các điểm trên EUT mà người sử dụng thường truy nhập trong quá trình sử dụng bình thường.
Hình 12 - Ví dụ thiết lập phép thử miễn nhiễm phóng tĩnh điện (ESD) cho thiết bị đặt trên bàn chỉ rõ vị trí cơ bản của thiết bị phóng ESD
Thiết bị phóng ESD được giữ vuông góc với bề mặt, tại vị trí có thể thực hiện phóng điện và với tốc độ 20 lần phóng trong một giây. Mỗi vị trí được thử với 10 lần phóng điện tích dương và âm trong khoảng thời gian giãn cách ít nhất 1 s giữa các lần phóng để cho phép kiểm tra lỗi hoạt động của EUT. Phương pháp hay được sử dụng là phóng điện tiếp xúc; tuy nhiên phóng điện qua không khí sẽ được dùng ở những nơi không thể áp dụng phóng điện tiếp xúc, như trên các bề mặt sơn cách điện theo công bố của nhà sản xuất.
Để mô phỏng phóng điện lên các vật thể đặt cạnh EUT, 10 lần phóng điện tiếp xúc đơn, cực tính dương và âm, sẽ được sử dụng cho mặt phẳng đất tại mỗi bề mặt ở vị trí cách EUT 0,1 m. 10 lần phóng điện khác sẽ được đặt vào tâm của một cạnh của mặt phẳng ghép đứng (VCP), mặt phẳng này được đặt ở các vị trí khác nhau đủ để cả 4 bề mặt của EUT được chiếu đầy đủ.
Mức thử là 6 kV cho phóng điện tiếp xúc và 8 kV cho phóng điện qua không khí.
Các yêu cầu kiểm tra chất lượng EMC phải được thoả mãn trong và sau phép thử tương ứng với Tiêu chí chất lượng B như được mô tả trong mục 2.3.1.
3.1. Các thiết bị thuộc phạm vi điều chỉnh quy định tại mục 1.1 của Quy chuẩn này phải tuân thủ các quy định kỹ thuật của Quy chuẩn này và phải thực hiện công bố hợp quy theo Quy chuẩn này.
3.2. Đối với thiết bị Ra đa dùng cho nghiệp vụ di động hàng hải, Quy chuẩn này được áp dụng thay cho QCVN 18:2014/BTTTT để thực hiện các quy định của Bộ Thông tin và Truyền thông về công bố hợp quy.
4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN
Các tổ chức, cá nhân liên quan có trách nhiệm thực hiện các quy định về công bố hợp quy và chịu sự kiểm tra của cơ quan quản lý nhà nước theo các quy định hiện hành.
5.1. Cục Viễn thông, Cục Tần số vô tuyến điện và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm tổ chức hướng dẫn, triển khai áp dụng và quản lý các cá nhân, tổ chức, doanh nghiệp thực hiện theo Quy chuẩn này.
5.2. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế thì thực hiện theo quy định tại văn bản mới.
5.3. Trong quá trình triển khai thực hiện quy chuẩn này, nếu có vấn đề phát sinh, vướng mắc, các tổ chức và cá nhân có liên quan phản ánh bằng văn bản về Bộ Thông tin và Truyền thông (Vụ Khoa học và Công nghệ) để được hướng dẫn, giải quyết./.
QCVN 119:2019/BTTTT
